Type-C接口憑借其正反插、高速傳輸與高功率供電能力，已成為消費電子領域的核心接口。然而，高頻信號傳輸與高密度布局帶來的電磁幹擾（EMI）問題，可能引發數據傳輸錯誤、充電中斷等故障。以下從屏蔽、濾波、接地及布局四方麵，解析Type-C接口的電磁兼容性設計策略。

多層屏蔽結構是抑製輻射幹擾的關鍵。采用“3層屏蔽”方案：外層屏蔽線纜阻隔外部幹擾，中層包裹內部線對減少串擾，內層獨立屏蔽電源線防止磁場泄漏。例如，蘋果旗艦設備通過此設計將EMI指標降低40%以上。同時，鐵氧體磁環可吸收10MHz-1GHz頻段的共模噪聲，在接口端或線纜中集成磁環，可對特定頻段幹擾產生20dB以上衰減。

濾波網絡需縱深配置。電源路徑采用π型濾波：一級功率電感抑製低頻紋波，二級並聯MLCC與C0G電容衰減高頻噪聲。例如，移動儲能設備通過此設計將電源紋波在1MHz-100MHz頻段的噪聲衰減≥40dB。差分信號線串聯共模扼流圈，其100MHz-1GHz頻段共模阻抗≥500Ω，可有效抑製共模幹擾。

接地分階體係可化解能量路徑矛盾。TVS與濾波器接地直連金屬外殼（防護地），接口芯片通過15nF電容耦合至防護地，防護地與主板工作地單點通過磁珠連接。此結構使90%瞬態電流直接導入外殼，殘餘幹擾被電容阻斷。

布局優化需遵循“三近原則”：ESD器件與共模電感靠近接口（≤3mm），差分線兩側緊鄰地平麵，CC引腳加粗處理。例如，某工控主板將兩層板升級為四層板後，地層完整覆蓋接口區域，EFT測試誤碼率從10⁻⁵降至10⁻⁹。

通過屏蔽、濾波、接地與布局的協同設計，Type-C接口可在高速傳輸與高功率場景下實現穩定的電磁環境，滿足6G通信與AI計算設備的嚴苛需求。